簡易檢索 / 檢索結果

  • 檢索結果：共2筆資料 檢索策略： "none".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="砷化鎵"


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    以低頻雜訊分析砷化鎵場效電晶體特性
    • 電子工程系 /80/ 碩士
    • 研究生： 李修至   指導教授： 劉政光
    • 低頻雜訊對GaAs MESFET 的影響很大。如限制元件在寬帶低頻放大的應用；由於低頻 雜訊在非線性方面（振蕩器，混合器），會向上轉換成多余的微波雜訊，所以也限制 了非線性方面的應用；由於最小解…
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    砷化鎵金半場效電晶體低頻雜訊研究
    • 電子工程系 /78/ 碩士
    • 研究生： 吳錫聰   指導教授： 劉政光
    • 隨著電子系統高速度的要求，砷化鎵元件日益重要，近來，砷化鎵金半場效電晶休(GaAS MESFET)已被廣泛應用於數位或微波電路以為低雜訊小信號放大器、振盪器、混波器等。而其低頻雜訊不但限制其頻寬與非…
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